1941年毕业于西南联合大学。

1995年当选为工程院院士。

高鼎三（1914.07.24-2002.06.13）半导体与光电子学专家，上海市人。1941年毕业于西南联合大学，1953年获美国加利福尼亚大学硕士学位。我国半导体事业开拓者之一。在国内首先研制成大功率整流器、点接触二极管、三极管、光电二极管，较早研制成功GaAs激光器，500A、2500V大功率晶闸管。获全国科学大会奖，国家发明奖三等奖两项、四等奖一项，电子工业部科技奖进步一等奖一项，国家教委科技进步奖二等奖一项。在1986年国务院召开的“863”计划专家座谈会上，积极建议把光电子技术列为高技术的独立项目，并承担了“863”计划中“可见光激光器”的结构设计及工艺研究和“半导体激光器热传输特性”等研究项目，取得很大成绩。出版专译著2部，发表独立或合作论文100余篇。